红旗碳化硅功率芯片完成初次流片 选择低导通电阻元胞结构

易车讯 日前，由红旗研发总院新动力征战院功率电子征战部自主贪图的碳化硅功率芯片完成初次流片。记号着红旗研发已初步设立撑抓高性能电动汽车征战的碳化硅功率芯片贪图技艺，并得手将半导体行业的Fabless(无晶圆厂)合营阵势引入汽车居品征战实施。

据先容，该款碳化硅功率芯片从居品中枢成见界说、衬底与外延材料取舍、元胞结构贪图、动静态性能仿真、工艺仿真、河山贪图、晶圆流片到晶圆封测，终了全链条主导征战，记号着红旗车规级碳化硅功率芯片征战技艺大幅擢升。

该款芯片聚焦整车电运转、机灵补能、车载电源、高压配电、电动化底盘等系统讹诈需求，立异选择低导通电阻元胞结构、高元胞密度河山、高可靠性结尾结构及片上栅极电阻集成技艺，终了击穿电压逾越1200V，导通电阻小于15mΩ。